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                      1. 行业新闻

                        LED技术突破

                        :2018-03-06    :333
                        美国研究人员制作无下垂LED
                         
                        香槟分校伊利诺伊大学的研究人员开发了一种制造更明亮、更高效的绿色LED今年的新方法。使用工业标准的半导体生长方法,在硅衬底上生长氮化镓(GaN)立方晶体,以产生用于固态照明的强大的绿光。
                         
                        “这项工作是非常革命的这为新型绿色波长的发射器,可以针对先进的固态照明在一个可扩展的CMOS硅平台的新材料开发,立方氮化镓,说:”可以Bayram,于伊利诺斯电气和计算机工程的助理教授
                         
                        通常,氮化镓形成两种晶体结构之一:六方晶系或立方晶系。六方GaN在热力学上是稳定的,传统的半导体应用形式。然而,六方形式的GaN更容易极化,内部电场将带负电的电子和带正电的空穴分开,阻止它们结合,从而降低光输出效率。
                         
                        巴伊兰和他的研究生Richard Liu的研究引入了一个立方GaN晶体的形式,他们认为它可以使LED零下垂。对于绿色,蓝色或紫外线LED,发光效率普遍下降,较高的电流输入,其特点是“下垂”。
                         
                        进一步阅读的相关文章:研究人员使绿色LED更加明亮和高效。
                         
                        Ostendo Epilab推出世界上第一个全彩色的GaN基LED
                         
                        位于卡尔斯巴德加利福尼亚南部,Ostendo EpiLab推出了世界上第一个RGB LED。基于LED的GaN技术使用三个特定的材料构成的量子结构发出不同颜色的光,颜色LED可以单独或混合排放。传统的LED通常是单色的,只能发出一个波长。为了实现多彩的RGB照明效果,需要一个以上的LED来混合所需的颜色。
                         
                        颜色由LED所用的荧光粉涂层或衬底材料决定。只有少数研究人员试图制造一种能够发射全范围RGB颜色的LED芯片。
                         
                        ostendo开发下一代固态照明(SSL)为基础的显示技术和产品的商业和消费市场的目的在实现效率和成本效益的材料,设备和系统的水平。ostendo的有利的技术支持,在各自的市场颠覆性的产品。
                         
                        紫外LED曲面透镜技术进展
                         
                        重庆绿色智能在中国科学院公布了新的进步,在紫外LED曲面透镜技术所集成光学技术研究所,可应用于紫外光源接触,PCB,液晶显示器,甚至在触摸屏的应用。中国研究院已获得专利cn203642076u UV LED透镜,和高度统一的UV LED曝光cn201420651432.4。
                         
                        传统的平行光曝光机使用高压水银灯因为光源有很短的寿命为1000小时,高功率消耗和污染物。用以取代汞灯光源的紫外发光二极管寿命几乎是汞灯的50倍,可将能源消耗减少90%,大大降低生产成本,降低环境污染。
                         
                        该研究所在LED多个曲面的精密照明方面取得了重大突破,适用于紫外波段和非有机光学元件加工等关键技术。研制的初始阶段是以紫外LED准直曝光机为基础,准直半角度可控制在2°以内,照度分布不均匀小于3%,光强可达40毫瓦/平方厘米。
                         
                        saphlux开发新技术来解决问题,Shuji Nakamura就
                         
                        于2014由来自耶鲁大学的Jung Han教授,GaN材料供应商saphlux终于在2016年初提供了新的解决方案。该公司拒绝透露细节,因为它涉及到机密业务信息,最终摆脱了传统的半极性氮化镓材料增长模型。该公司已能够提供标准的大尺寸蓝宝石衬底,可直接用于生长半极化氮化镓,并控制晶体的生长方向和形状。
                         
                        这项技术突破表明,该行业将能够解决量子下垂的瓶颈,以及第一代LED材料的绿色差距,从而生产出高效的LED和激光器。



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